Die Plasmabehandlung von Halbleitergehäusen entfernt Verunreinigungen auf atomarer Ebene, erhöht die Oberflächenenergie und verbessert die Grenzflächenhaftung in jedem kritischen Montageschritt.
Die Plasma-Oberflächenaktivierung ermöglicht eine starke, porenfreie Wafer-Verbindung bei Temperaturen unter 400°C durch Modifizierung der Oberflächenchemie auf molekularer Ebene.,
Die Plasmareinigung von Halbleiteroberflächen entfernt native Oxide, Kohlenstoffverunreinigungen und freie Bindungen von GaN und Ga₂O₃ bei niedrigen Temperaturen und verbessert so die Oberflächenstruktur.
Die Plasmabehandlung von EV-Batterie- und Displaykomponenten entfernt Verunreinigungen auf molekularer Ebene, erhöht die Oberflächenenergie und lässt sich direkt in die automatisierte Produktion integrieren.
Die Plasmabehandlung im Automobilbereich liefert eine gleichbleibende Oberflächenenergie von 52–68 mN/m und ersetzt chemische Grundierungen durch ein sauberes, trockenes Verfahren, das den Anforderungen entspricht.
Die Kaltplasmatechnologie ermöglicht die Oberflächenbehandlung wärmeempfindlicher Materialien bei Raumtemperatur oder unter 55 °C, ohne diese zu beschädigen.
Die Plasmabehandlung gewährleistet die Haftung der Schutzlackierung auf Leiterplatten, indem sie mikroskopische Verunreinigungen entfernt und Oberflächen auf molekularer Ebene aktiviert.
Die Plasmabehandlung verbessert die Elektrolytbenetzung in Lithiumbatterien, indem sie die Oberflächen von Separator und Elektrode hydrophil macht. Dadurch wird der interne Stromfluss reduziert.
Die Plasmabehandlung verbessert die Abdichtung und Wasserdichtigkeit bei der Smartwatch-Montage durch Aktivierung von Oberflächen auf molekularer Ebene. Dadurch entsteht eine starke Haftung.
Die Plasmatechnologie minimiert Lötfehler durch Reinigung der Oberflächen auf molekularer Ebene und Verbesserung der Benetzbarkeit. Dies führt zu weniger Lufteinschlüssen.
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