Plasma-Oberflächenreinigung für GaN- und Ga₂O₃-Bauelemente: Verbesserung der Kontaktzuverlässigkeit und thermischen Stabilität
Die Plasmareinigung von Halbleiteroberflächen entfernt native Oxide, Kohlenstoffverunreinigungen und freie Bindungen von GaN und Ga₂O₃ bei niedrigen Temperaturen. Dadurch werden der ohmsche Kontaktwiderstand und die Zuverlässigkeit der Bauelemente verbessert, ohne die thermischen Schäden, die bei herkömmlichen Verfahren auftreten. Warum die Oberflächenvorbereitung der Flaschenhals ist, über den niemand spricht: GaN und Ga₂O₃ erhalten aus gutem Grund viel Aufmerksamkeit. […]
