Limpieza de superficies con plasma para dispositivos de GaN y Ga₂O₃: mejora de la fiabilidad del contacto y la estabilidad térmica
La limpieza con plasma de superficies de semiconductores elimina óxidos nativos, contaminación de carbono y enlaces colgantes de GaN y Ga₂O₃ a bajas temperaturas, mejorando la resistencia óhmica de contacto y la fiabilidad del dispositivo sin el daño térmico que causa el procesamiento tradicional. ¿Por qué la preparación de superficies es el cuello de botella del que nadie habla? El GaN y el Ga₂O₃ reciben mucha atención por las razones correctas. […]
