Làm sạch bề mặt bằng plasma cho các thiết bị GaN và Ga₂O₃: Nâng cao độ tin cậy tiếp xúc và ổn định nhiệt.
Làm sạch bề mặt bán dẫn bằng plasma loại bỏ oxit tự nhiên, tạp chất carbon và các liên kết không bão hòa khỏi GaN và Ga₂O₃ ở nhiệt độ thấp, cải thiện điện trở tiếp xúc ohmic và độ tin cậy của thiết bị mà không gây ra hư hại do nhiệt như các quy trình truyền thống. Tại sao khâu chuẩn bị bề mặt lại là nút thắt cổ chai mà ít người nhắc đến? GaN và Ga₂O₃ nhận được rất nhiều sự chú ý vì những lý do chính đáng. […]
