Pembersihan Permukaan Plasma untuk Perangkat GaN dan Ga₂O₃: Meningkatkan Keandalan Kontak dan Stabilitas Termal
Pembersihan permukaan semikonduktor dengan plasma menghilangkan oksida alami, kontaminasi karbon, dan ikatan gantung dari GaN dan Ga₂O₃ pada suhu rendah, meningkatkan resistansi kontak ohmik dan keandalan perangkat tanpa kerusakan termal yang disebabkan oleh pemrosesan tradisional. Mengapa Persiapan Permukaan Merupakan Hambatan yang Tidak Pernah Dibicarakan Siapa Pun? GaN dan Ga₂O₃ mendapatkan banyak perhatian karena alasan yang tepat. […]
