Selamat datang! Kami menantikan kunjungan Anda.

Pemrosesan plasma pada pengemasan semikonduktor menghilangkan kontaminan tingkat atom, meningkatkan energi permukaan, dan memperbaiki ikatan antarmuka di setiap langkah perakitan yang penting, mulai dari

Aktivasi permukaan plasma memungkinkan pengikatan wafer yang kuat dan bebas rongga pada suhu di bawah 400°C dengan memodifikasi kimia permukaan pada tingkat molekuler.,

Pembersihan permukaan semikonduktor dengan plasma menghilangkan oksida alami, kontaminasi karbon, dan ikatan gantung dari GaN dan Ga₂O₃ pada suhu rendah, sehingga meningkatkan

Perawatan plasma untuk komponen baterai dan layar kendaraan listrik menghilangkan kontaminan tingkat molekuler, meningkatkan energi permukaan, dan terintegrasi langsung ke dalam produksi otomatis.

Perawatan plasma otomotif memberikan energi permukaan yang konsisten sebesar 52–68 mN/m, menggantikan lapisan dasar kimia dengan proses yang bersih dan kering yang memenuhi standar.

Teknologi plasma dingin memungkinkan perawatan permukaan material yang sensitif terhadap panas pada suhu ruangan atau di bawah 55°C tanpa menyebabkan kerusakan. Proses ini

Perlakuan plasma memastikan adhesi lapisan konformal pada PCBA dengan menghilangkan kontaminan mikroskopis dan mengaktifkan permukaan pada tingkat molekuler. Ini

Perlakuan plasma meningkatkan pembasahan elektrolit dalam baterai lithium dengan memodifikasi permukaan pemisah dan elektroda agar menjadi hidrofilik. Hal ini mengurangi resistansi internal.

Pemrosesan plasma meningkatkan penyegelan dan kedap air pada perakitan jam tangan pintar dengan mengaktifkan permukaan pada tingkat molekuler. Hal ini menciptakan daya rekat yang kuat.

Teknologi plasma meminimalkan cacat solder dengan membersihkan permukaan pada tingkat molekuler dan meningkatkan kemampuan pembasahan. Hal ini menghasilkan lebih sedikit rongga.