Plasma-Oberflächenaktivierung für Wafer-Bonding und MEMS-Fertigung
Die Plasma-Oberflächenaktivierung ermöglicht durch die Modifizierung der Oberflächenchemie auf molekularer Ebene eine starke, porenfreie Wafer-Verbindung bei Temperaturen unter 400 °C und ist damit ein essenzieller Prozess für die MEMS-Fertigung und die heterogene 3D-Integration. Warum traditionelle Verbindungsmethoden an ihre Grenzen stoßen: MEMS-Bauelemente werden immer kleiner, komplexer und bestehen aus vielfältigeren Materialien. Die Verbindung von Silizium mit Glas, Polymeren mit […]
