Verbesserung der Zuverlässigkeit fortschrittlicher Gehäuse durch Plasmabehandlung: Von TSV und Underfill bis hin zu BGA
Die Plasmabehandlung in der Halbleiterverpackung entfernt atomare Verunreinigungen, erhöht die Oberflächenenergie und verbessert die Grenzflächenhaftung in jedem kritischen Montageschritt – von der TSV-Bildung und dem Underfill-Aufbringen bis hin zur BGA-Lötperlenbefestigung und dem Drahtbonden. Warum die Oberflächenbeschaffenheit bei fortschrittlichen Verpackungsverfahren problematisch ist: Mit der Miniaturisierung und Stapelung von Halbleiterbauelementen werden die Grenzflächen zwischen den Materialien zum Hauptrisiko für die Zuverlässigkeit. […]
