Плазменная обработка полупроводниковых корпусов удаляет загрязнения на атомарном уровне, повышает поверхностную энергию и улучшает межфазное сцепление на каждом критически важном этапе сборки.
Плазменная активация поверхности обеспечивает прочное соединение пластин без пустот при температурах ниже 400 °C за счет изменения химического состава поверхности на молекулярном уровне.,
Плазменная очистка поверхностей полупроводников удаляет естественные оксиды, углеродные загрязнения и оборванные связи из GaN и Ga₂O₃ при низких температурах, улучшая качество полупроводниковых материалов.
Плазменная обработка компонентов аккумуляторов и дисплеев электромобилей удаляет загрязнения на молекулярном уровне, повышает поверхностную энергию и напрямую интегрируется в автоматизированное производство.
Плазменная обработка автомобилей обеспечивает стабильную поверхностную энергию 52–68 мН/м, заменяя химические грунтовки чистым и сухим процессом, отвечающим всем требованиям.
Технология холодной плазмы позволяет обрабатывать поверхности термочувствительных материалов при комнатной температуре или ниже 55°C без причинения повреждений.
Плазменная обработка обеспечивает конформную адгезию покрытия на печатных платах за счет удаления микроскопических загрязнений и активации поверхностей на молекулярном уровне.
Плазменная обработка улучшает смачивание электролита в литиевых батареях за счет модификации поверхностей сепаратора и электродов, делая их гидрофильными. Это снижает внутреннее смачивание.
Плазменная обработка повышает герметичность и водонепроницаемость в конструкции умных часов за счет активации поверхностей на молекулярном уровне. Это создает прочный адгезионный слой.
Плазменная технология минимизирует дефекты пайки за счет очистки поверхностей на молекулярном уровне и повышения смачиваемости. Это приводит к уменьшению количества пустот.
Напишите нам сообщение!
Наши системные эксперты будут рады вам помочь.
