Selamat datang! Kami menantikan kunjungan Anda.

Perbedaan antara etsa isotropik dan anisotropik terletak pada cara material dihilangkan—etsa isotropik menghilangkan material secara seragam di semua arah,

Etching plasma merupakan proses krusial dalam nanoteknologi, yang memungkinkan penghilangan material secara presisi pada tingkat mikroskopis guna membuat struktur berskala nano. 

Reactive Ion Etching (RIE) adalah proses berbasis plasma yang digunakan untuk mengukir bahan secara tepat dalam pembuatan mikro, memanfaatkan ion reaktif secara kimia untuk

Jika Anda pernah bertanya-tanya bagaimana sirkuit kecil di ponsel pintar atau perangkat elektronik lainnya dibuat, plasma etching mungkin