Yar\u0131 iletken y\u00fczeylerin plazma ile temizlenmesi, geleneksel i\u015flemlerin neden oldu\u011fu termal hasar olmadan, d\u00fc\u015f\u00fck s\u0131cakl\u0131klarda GaN ve Ga\u2082O\u2083'ten do\u011fal oksitleri, karbon kirlili\u011fini ve serbest ba\u011flar\u0131 gidererek ohmik temas direncini ve cihaz g\u00fcvenilirli\u011fini art\u0131r\u0131r.<\/p>\n\n\n\n
GaN ve Ga\u2082O\u2083 hakl\u0131 nedenlerle b\u00fcy\u00fck ilgi g\u00f6r\u00fcyor. GaN'nin 3,4 eV bant aral\u0131\u011f\u0131 ve Ga\u2082O\u2083'\u00fcn daha geni\u015f 4,5 ila 5,3 eV aral\u0131\u011f\u0131, onlar\u0131 y\u00fcksek g\u00fc\u00e7 ve y\u00fcksek frekans uygulamalar\u0131 i\u00e7in silikondan farkl\u0131 bir lige ta\u015f\u0131yor.<\/p>\n\n\n\n
Daha y\u00fcksek k\u0131r\u0131lma gerilimleri, daha d\u00fc\u015f\u00fck a\u00e7\u0131k diren\u00e7, y\u00fcksek s\u0131cakl\u0131klarda daha iyi verimlilik \u2014 performans a\u00e7\u0131s\u0131ndan durum gayet iyi kan\u0131tlanm\u0131\u015ft\u0131r.<\/p>\n\n\n\n
\u00dcretim s\u0131ras\u0131nda y\u00fczeyde neler oldu\u011funa daha az dikkat ediliyor. Epitelyal b\u00fcy\u00fcme ve cihaz i\u015fleme, metalin yar\u0131 iletkenle bulu\u015ftu\u011fu aray\u00fczde do\u011fal oksitler, karbon kal\u0131nt\u0131lar\u0131 ve oksijen kirlili\u011fi b\u0131rak\u0131yor.<\/p>\n\n\n\n
Ta\u015f\u0131y\u0131c\u0131lar\u0131 da\u011f\u0131t\u0131rlar, temas direncini art\u0131r\u0131rlar ve Schottky bariyer y\u00fcksekli\u011fini y\u00fckselterek, malzemenin kalitesi ne kadar iyi olursa olsun cihaz\u0131 s\u0131n\u0131rlayan etkiler yarat\u0131rlar.<\/p>\n\n\n\n
Islak kimyasal temizlik, g\u00f6r\u00fcn\u00fcrdeki kirlili\u011fi giderir ancak y\u00fczeydeki kirleri ve gev\u015fek ba\u011flar\u0131 geride b\u0131rak\u0131r. Bunlar, cihazlar\u0131n belirtilen \u00f6zelliklerinin alt\u0131nda performans g\u00f6stermesine ve olmas\u0131 gerekenden daha h\u0131zl\u0131 bozulmas\u0131na neden olur.<\/p>\n\n\n\n
13,56 MHz'lik bir radyo frekansl\u0131 vakum sistemi, iyon yo\u011funlu\u011funun ve iyon enerjisinin ba\u011f\u0131ms\u0131z olarak ayarlanabildi\u011fi bir plazma \u00fcretir. \u00d6nemli olan bu ba\u011f\u0131ms\u0131z kontrold\u00fcr. Kirletici ba\u011flar\u0131n\u0131 k\u0131rmak ve y\u00fczey par\u00e7ac\u0131klar\u0131n\u0131 yerinden oynatmak i\u00e7in yeterli enerjiyi ayarlayabilirsiniz, ancak hasara yol a\u00e7acak kadar derine inmezsiniz.<\/p>\n\n\n\n
Y\u00fczeyde ayn\u0131 anda iki \u015fey olur:<\/p>\n\n\n\n
GaN temizli\u011fi i\u00e7in, azot bazl\u0131 veya Ar\/H\u2082 plazma, termal y\u00f6ntemlerin gerektirdi\u011finden \u00e7ok daha d\u00fc\u015f\u00fck s\u0131cakl\u0131klarda do\u011fal galyum oksit ve karbon kirlili\u011fini giderir. GaN y\u00fcksek s\u0131cakl\u0131klara iyi dayanmaz, bu nedenle bu durum g\u00f6r\u00fcnd\u00fc\u011f\u00fcnden daha \u00f6nemlidir.<\/p>\n\n\n\n
Galyum oksit plazma i\u015fleminde, d\u00fc\u015f\u00fck g\u00fc\u00e7l\u00fc argon plazmas\u0131, Ga\u2082O\u2083 y\u00fczeyine kontroll\u00fc oksijen bo\u015fluklar\u0131 ekler. Bu bo\u015fluklar elektron iletimini iyile\u015ftirir ve temas direnci<\/a> a\u015fa\u011f\u0131.<\/p>\n\n\n\n Keylink'in VL-10-A vakum plazma sistemi, 10 ile 100 Pa aras\u0131nda \u00e7al\u0131\u015fma vakumuyla 13,56 MHz RF frekans\u0131nda \u00e7al\u0131\u015f\u0131r ve O\u2082, Ar, H\u2082, N\u2082, CF\u2084 ve di\u011fer proses gazlar\u0131n\u0131 destekler. Ayn\u0131 platform, donan\u0131m\u0131 yeniden yap\u0131land\u0131rmaya gerek kalmadan hem GaN hem de Ga\u2082O\u2083 haz\u0131rlama i\u015flemlerini ger\u00e7ekle\u015ftirir. tam vakum plazma sistemi yelpazesi<\/a> Farkl\u0131 \u00fcretim gereksinimleri i\u00e7in ek yap\u0131land\u0131rmalar\u0131 kapsar.<\/p>\n\n\n\n