Pembersihan kemasan dengan plasma menghilangkan kontaminasi mikroskopis yang dapat menyebabkan kegagalan pada perangkat semikonduktor. Dalam kemasan IC 2.5D dan 3D, bahkan residu kecil pun dapat melemahkan koneksi listrik atau mengurangi kekuatan ikatan.<\/p>\n\n\n\n
Perlakuan plasma digunakan pada tahapan-tahapan penting dalam proses pengemasan. Ini termasuk persiapan permukaan sebelum pengikatan dan enkapsulasi.<\/p>\n\n\n\n
Artikel ini menjelaskan bagaimana perlakuan permukaan plasma meningkatkan hasil produksi, mendukung teknologi chiplet dan FOWLP, serta meningkatkan keandalan interkoneksi.<\/p>\n\n\n\n
Pembersihan plasma adalah proses kering yang digunakan untuk menghilangkan kontaminasi pada permukaan material. Proses ini menggunakan gas terionisasi untuk memecah residu organik dan lapisan oksida.<\/p>\n\n\n\n
Proses ini tidak menggunakan bahan kimia. Sebaliknya, proses ini mengandalkan partikel berenergi untuk membersihkan permukaan tanpa merusak komponen yang sensitif.<\/p>\n\n\n\n
Plasma adalah wujud materi keempat. Plasma mengandung elektron dan ion bebas yang bereaksi dengan kontaminan permukaan.<\/p>\n\n\n\n
Seiring dengan semakin kompleksnya pengemasan, permukaan menjadi semakin kecil dan lebih sensitif. Dalam desain IC 3D dan chiplet, kepadatan interkoneksi meningkat.<\/p>\n\n\n\n
Bahkan kontaminasi sekecil apa pun di dalam struktur TSV atau bantalan penghubung dapat menyebabkan kegagalan.<\/p>\n\n\n\n
Pada struktur TSV dengan kedalaman di atas 50 \u00b5m, penghilangan kontaminasi menjadi sulit menggunakan pembersihan basah. Plasma memungkinkan pembersihan seragam di dalam vias tanpa jebakan cairan.<\/p>\n\n\n\n
Masalah-masalah ini secara langsung memengaruhi kinerja listrik dan stabilitas jangka panjang.<\/p>\n\n\n\n
Pembersihan kimia basah tidak dapat menjangkau struktur yang dalam seperti lubang TSV atau interkoneksi halus. Selain itu, metode ini dapat meninggalkan residu atau merusak material.<\/p>\n\n\n\n
Perawatan plasma untuk elektronik<\/a> mengatasi masalah ini dengan menjangkau geometri yang kompleks dan membersihkan secara merata.<\/p>\n\n\n\n Keandalan interkoneksi bergantung pada permukaan yang bersih. Jika terdapat kontaminasi, ikatan menjadi lemah atau tidak stabil.<\/p>\n\n\n\n Perlakuan permukaan plasma meningkatkan energi permukaan. Hal ini meningkatkan daya rekat antar material selama proses pengikatan atau pengemasan.<\/p>\n\n\n\n Selain itu, alat ini juga mempersiapkan permukaan untuk proses seperti... pengikatan kawat<\/a>, perakitan flip-chip, underfill, dan enkapsulasi<\/p>\n\n\n\n Menghasilkan<\/a> Kerugian seringkali berasal dari kontaminasi tersembunyi. Pembersihan plasma menghilangkan jejak kontaminan organik dari pori-pori TSV yang dalam, mengurangi tingkat kegagalan interkoneksi listrik.<\/p>\n\n\n\n TSV (Through-Silicon Via) adalah koneksi listrik vertikal yang digunakan dalam pengemasan IC 3D.<\/p>\n\n\n\n Khas pembersihan plasma <\/a>Menggunakan gas oksigen atau argon di bawah tekanan rendah (10\u2013500 mTorr). Daya RF (umumnya 13,56 MHz) menghasilkan spesies reaktif yang menghilangkan residu organik dan mengaktifkan permukaan.<\/p>\n\n\n\n Menurut data industri, proses ini meningkatkan konsistensi perekatan dan mengurangi tingkat cacat.<\/p>\n\n\n\n Desain IC dan chiplet 3D mengandalkan penumpukan vertikal dan interkoneksi yang padat.<\/p>\n\n\n\n Perlakuan plasma memastikan setiap antarmuka bersih sebelum proses pengikatan. Hal ini mengurangi cacat dan meningkatkan kinerja listrik.<\/p>\n\n\n\n Pengemasan Tingkat Wafer Fan-Out (FOWLP) memerlukan kondisi permukaan yang seragam di area yang luas.<\/p>\n\n\n\n Perawatan plasma memberikan penghilangan kontaminasi yang konsisten di seluruh wafer. Hal ini meningkatkan stabilitas proses dan mengurangi pengerjaan ulang.<\/p>\n\n\n\n Pembersihan plasma mengekspos permukaan. terionisasi<\/span> gas dalam kondisi terkontrol.<\/p>\n\n\n\n Proses tersebut meliputi:<\/p>\n\n\n\n Proses ini tidak melibatkan kontak fisik dan tidak merusak material yang halus.<\/p>\n\n\n\n Plasma vakum<\/a> Sistem ini efektif untuk perawatan seragam pada struktur 3D.<\/p>\n\n\n\nMeningkatkan Hasil dan Keandalan Melalui Perlakuan Permukaan<\/strong><\/h2>\n\n\n\n
Bagaimana Plasma Meningkatkan Kinerja Interkoneksi<\/strong><\/h3>\n\n\n\n
Peningkatan Hasil Produksi dalam Pengemasan Canggih<\/strong><\/h3>\n\n\n\n
Mendukung Teknologi Pengemasan Modern<\/strong><\/h2>\n\n\n\n
Memungkinkan Integrasi IC dan Chiplet 3D<\/strong><\/h3>\n\n\n\n
Mengaktifkan FOWLP dan Pengemasan Tingkat Wafer<\/strong><\/h3>\n\n\n\n
Memahami Proses Pembersihan Plasma<\/strong><\/h2>\n\n\n\n
Cara Kerjanya Langkah demi Langkah<\/strong><\/h3>\n\n\n\n
\n
Jenis-Jenis Sistem Plasma yang Digunakan<\/strong><\/h3>\n\n\n\n
Jenis Sistem<\/strong><\/td> Aplikasi<\/strong><\/td><\/tr> Plasma Atmosfer<\/a><\/td> Aktivasi permukaan sebaris<\/td><\/tr> Plasma Vakum<\/td> Pembersihan TSV mendalam dan struktur kompleks.<\/td><\/tr> Sistem Otomatis<\/td> Pemrosesan semikonduktor volume tinggi<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n