Pembersihan permukaan semikonduktor dengan plasma menghilangkan oksida alami, kontaminasi karbon, dan ikatan gantung dari GaN dan Ga\u2082O\u2083 pada suhu rendah, meningkatkan resistansi kontak ohmik dan keandalan perangkat tanpa kerusakan termal yang disebabkan oleh pemrosesan tradisional.<\/p>\n\n\n\n
GaN dan Ga\u2082O\u2083 mendapatkan banyak perhatian karena alasan yang tepat. Celah pita GaN sebesar 3,4 eV dan rentang Ga\u2082O\u2083 yang lebih lebar, yaitu 4,5 hingga 5,3 eV, menempatkan keduanya di kelas yang berbeda dari silikon untuk aplikasi daya tinggi dan frekuensi tinggi.<\/p>\n\n\n\n
Tegangan tembus yang lebih tinggi, resistansi on-state yang lebih rendah, efisiensi yang lebih baik pada suhu tinggi \u2014 bukti kinerja ini sudah jelas.<\/p>\n\n\n\n
Yang kurang mendapat perhatian adalah apa yang terjadi di permukaan selama proses fabrikasi. Pertumbuhan epitaksial dan pemrosesan perangkat meninggalkan oksida alami, residu karbon, dan kontaminasi oksigen yang berada tepat di antarmuka tempat logam bertemu semikonduktor.<\/p>\n\n\n\n
Mereka menyebarkan pembawa muatan, meningkatkan resistansi kontak, dan mendorong ketinggian penghalang Schottky dengan cara yang membatasi perangkat tersebut, tidak peduli seberapa baik material massalnya.<\/p>\n\n\n\n
Pembersihan kimia basah mengatasi kontaminasi yang terlihat jelas tetapi meninggalkan kondisi permukaan dan ikatan yang terputus. Hal itu akan terlihat pada perangkat yang kinerjanya di bawah spesifikasi dan mengalami degradasi lebih cepat dari seharusnya.<\/p>\n\n\n\n
Sistem vakum frekuensi radio pada 13,56 MHz menghasilkan plasma di mana kepadatan ion dan energi ion dapat diatur secara independen. Kontrol independen itulah yang penting. Anda dapat mengatur energi yang cukup untuk memutus ikatan kontaminan dan menggeser partikel permukaan tanpa harus menembus terlalu dalam ke dalam kisi sehingga menimbulkan kerusakan.<\/p>\n\n\n\n
Dua hal terjadi di permukaan secara bersamaan:<\/p>\n\n\n\n
Untuk pembersihan GaN, plasma berbasis nitrogen atau Ar\/H\u2082 menghilangkan oksida galium alami dan kontaminasi karbon pada suhu jauh di bawah suhu yang dibutuhkan oleh metode termal. GaN tidak tahan terhadap suhu tinggi, jadi hal ini lebih penting daripada yang terlihat.<\/p>\n\n\n\n
Untuk perawatan plasma galium oksida, plasma argon berdaya rendah memasukkan kekosongan oksigen terkontrol ke permukaan Ga\u2082O\u2083. Kekosongan tersebut meningkatkan konduksi elektron dan membawa hambatan kontak<\/a> turun.<\/p>\n\n\n\n Sistem plasma vakum VL-10-A Keylink beroperasi pada frekuensi radio 13,56MHz dengan vakum kerja antara 10 dan 100 Pa, mendukung O\u2082, Ar, H\u2082, N\u2082, CF\u2084, dan gas proses lainnya. Platform yang sama menangani persiapan GaN dan Ga\u2082O\u2083 tanpa perlu konfigurasi ulang perangkat keras. rangkaian sistem plasma vakum lengkap<\/a> Mencakup konfigurasi tambahan untuk berbagai kebutuhan produksi.<\/p>\n\n\n\n