El proceso de limpieza con plasma elimina la contaminaci\u00f3n microsc\u00f3pica que puede provocar fallos en los dispositivos semiconductores. En los encapsulados de circuitos integrados 2.5D y 3D, incluso peque\u00f1os residuos pueden debilitar las conexiones el\u00e9ctricas o reducir la fuerza de adhesi\u00f3n.<\/p>\n\n\n\n
El tratamiento con plasma se utiliza en etapas clave del proceso de envasado. Estas incluyen la preparaci\u00f3n de la superficie antes de la uni\u00f3n y el encapsulado.<\/p>\n\n\n\n
Este art\u00edculo explica c\u00f3mo el tratamiento superficial con plasma mejora el rendimiento, es compatible con las tecnolog\u00edas de chiplets y FOWLP, y aumenta la fiabilidad de las interconexiones.<\/p>\n\n\n\n
La limpieza con plasma es un proceso en seco que se utiliza para eliminar la contaminaci\u00f3n de las superficies de los materiales. Utiliza gas ionizado para descomponer los residuos org\u00e1nicos y las capas de \u00f3xido.<\/p>\n\n\n\n
Este proceso no utiliza productos qu\u00edmicos. En su lugar, se basa en part\u00edculas energ\u00e9ticas para limpiar superficies sin da\u00f1ar los componentes delicados.<\/p>\n\n\n\n
El plasma es el cuarto estado de la materia. Contiene electrones e iones libres que reaccionan con los contaminantes de la superficie.<\/p>\n\n\n\n
A medida que el empaquetado se vuelve m\u00e1s complejo, las superficies se reducen y se vuelven m\u00e1s sensibles. En los dise\u00f1os de circuitos integrados 3D y chiplets, la densidad de interconexi\u00f3n aumenta.<\/p>\n\n\n\n
Incluso una m\u00ednima contaminaci\u00f3n dentro de las estructuras TSV o las almohadillas de conexi\u00f3n puede provocar fallos.<\/p>\n\n\n\n
En estructuras TSV con profundidades superiores a 50 \u00b5m, la eliminaci\u00f3n de la contaminaci\u00f3n mediante limpieza h\u00fameda resulta dif\u00edcil. El plasma permite una limpieza uniforme en el interior de las v\u00edas sin que queden atrapadas las sustancias l\u00edquidas.<\/p>\n\n\n\n
Estos problemas afectan directamente al rendimiento el\u00e9ctrico y a la estabilidad a largo plazo.<\/p>\n\n\n\n
La limpieza qu\u00edmica h\u00fameda no puede alcanzar estructuras profundas como los orificios TSV o las interconexiones finas. Adem\u00e1s, puede dejar residuos o da\u00f1ar los materiales.<\/p>\n\n\n\n
Tratamiento de plasma para componentes electr\u00f3nicos<\/a> Resuelve este problema al alcanzar geometr\u00edas complejas y realizar una limpieza uniforme.<\/p>\n\n\n\n La fiabilidad de las interconexiones depende de la limpieza de las superficies. Cuando hay contaminaci\u00f3n, la uni\u00f3n se debilita o se vuelve inestable.<\/p>\n\n\n\n El tratamiento superficial con plasma aumenta la energ\u00eda superficial. Esto mejora la adhesi\u00f3n entre materiales durante el proceso de uni\u00f3n o embalaje.<\/p>\n\n\n\n Tambi\u00e9n prepara superficies para procesos como uni\u00f3n por cable<\/a>, Ensamblaje flip-chip, relleno inferior y encapsulado<\/p>\n\n\n\n Producir<\/a> Las p\u00e9rdidas suelen deberse a la contaminaci\u00f3n oculta. La limpieza con plasma elimina los contaminantes org\u00e1nicos residuales de los poros profundos de los TSV, lo que reduce las tasas de fallos en las interconexiones el\u00e9ctricas.<\/p>\n\n\n\n TSV (Through-Silicon Via) es una conexi\u00f3n el\u00e9ctrica vertical que se utiliza en el encapsulado de circuitos integrados 3D.<\/p>\n\n\n\n T\u00edpico limpieza con plasma <\/a>Utiliza ox\u00edgeno o arg\u00f3n a baja presi\u00f3n (10\u2013500 mTorr). La potencia de radiofrecuencia (generalmente 13,56 MHz) genera especies reactivas que eliminan los residuos org\u00e1nicos y activan las superficies.<\/p>\n\n\n\n Seg\u00fan datos del sector, este proceso mejora la uniformidad de la uni\u00f3n y reduce la tasa de defectos.<\/p>\n\n\n\n Los dise\u00f1os de circuitos integrados 3D y de chiplets se basan en el apilamiento vertical y en interconexiones densas.<\/p>\n\n\n\n El tratamiento con plasma garantiza que cada interfaz est\u00e9 limpia antes de la uni\u00f3n. Esto reduce los defectos y mejora el rendimiento el\u00e9ctrico.<\/p>\n\n\n\n El encapsulado a nivel de oblea con distribuci\u00f3n de residuos (FOWLP) requiere condiciones superficiales uniformes en grandes \u00e1reas.<\/p>\n\n\n\n El tratamiento con plasma proporciona una eliminaci\u00f3n uniforme de la contaminaci\u00f3n en toda la oblea. Esto mejora la estabilidad del proceso y reduce la necesidad de retrabajo.<\/p>\n\n\n\n La limpieza con plasma expone las superficies. a ionizado<\/span> gas en condiciones controladas.<\/p>\n\n\n\n El proceso incluye:<\/p>\n\n\n\n Este proceso no requiere contacto y no da\u00f1a los materiales delicados.<\/p>\n\n\n\nMejora del rendimiento y la fiabilidad mediante el tratamiento de superficies.<\/strong><\/h2>\n\n\n\n
C\u00f3mo el plasma mejora el rendimiento de las interconexiones<\/strong><\/h3>\n\n\n\n
Mejora del rendimiento en el embalaje avanzado<\/strong><\/h3>\n\n\n\n
Apoyando las tecnolog\u00edas de embalaje modernas.<\/strong><\/h2>\n\n\n\n
Habilitaci\u00f3n de la integraci\u00f3n de circuitos integrados 3D y chiplets<\/strong><\/h3>\n\n\n\n
Habilitaci\u00f3n de FOWLP y empaquetado a nivel de oblea<\/strong><\/h3>\n\n\n\n
Comprender el proceso de limpieza por plasma<\/strong><\/h2>\n\n\n\n
C\u00f3mo funciona paso a paso<\/strong><\/h3>\n\n\n\n
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Tipos de sistemas de plasma utilizados<\/strong><\/h3>\n\n\n\n
Tipo de sistema<\/strong><\/td> Solicitud<\/strong><\/td><\/tr> Plasma atmosf\u00e9rico<\/a><\/td> Activaci\u00f3n de superficie en l\u00ednea<\/td><\/tr> Plasma de vac\u00edo<\/td> Limpieza profunda de TSV y estructuras complejas<\/td><\/tr> Sistemas automatizados<\/td> Procesamiento de semiconductores de alto volumen<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n