La limpieza de superficies de semiconductores con plasma elimina \u00f3xidos nativos, contaminaci\u00f3n de carbono y enlaces colgantes de GaN y Ga\u2082O\u2083 a bajas temperaturas, lo que mejora la resistencia de contacto \u00f3hmico y la confiabilidad del dispositivo sin el da\u00f1o t\u00e9rmico que causa el procesamiento tradicional.<\/p>\n\n\n\n
El GaN y el Ga\u2082O\u2083 reciben mucha atenci\u00f3n por las razones correctas. La banda prohibida de 3,4 eV del GaN y el rango m\u00e1s amplio de 4,5 a 5,3 eV del Ga\u2082O\u2083 los sit\u00faan en una categor\u00eda diferente al silicio para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia.<\/p>\n\n\n\n
Voltajes de ruptura m\u00e1s altos, menor resistencia de encendido, mejor eficiencia a temperaturas elevadas: el caso del rendimiento est\u00e1 bien establecido.<\/p>\n\n\n\n
Lo que recibe menos atenci\u00f3n es lo que sucede en la superficie durante la fabricaci\u00f3n. El crecimiento epitaxial y el procesamiento del dispositivo dejan \u00f3xidos nativos, residuos de carbono y contaminaci\u00f3n por ox\u00edgeno justo en la interfaz donde el metal se une al semiconductor.<\/p>\n\n\n\n
Dispersan los portadores, aumentan la resistencia de contacto y elevan la altura de la barrera Schottky de maneras que limitan el dispositivo sin importar cu\u00e1n bueno sea el material a granel.<\/p>\n\n\n\n
La limpieza qu\u00edmica h\u00fameda elimina la contaminaci\u00f3n evidente, pero deja residuos superficiales y uniones colgantes. Estos se manifiestan como dispositivos que no cumplen con sus especificaciones y se degradan m\u00e1s r\u00e1pido de lo debido.<\/p>\n\n\n\n
Un sistema de vac\u00edo de radiofrecuencia a 13,56 MHz genera plasma donde la densidad y la energ\u00eda i\u00f3nicas se pueden ajustar de forma independiente. Este control independiente es fundamental. Se puede ajustar la energ\u00eda suficiente para romper los enlaces contaminantes y desplazar las part\u00edculas superficiales sin penetrar la red lo suficiente como para causar da\u00f1os.<\/p>\n\n\n\n
En la superficie ocurren dos cosas simult\u00e1neamente:<\/p>\n\n\n\n
Para la limpieza de GaN, el plasma a base de nitr\u00f3geno o Ar\/H\u2082 elimina la contaminaci\u00f3n de \u00f3xido de galio y carbono a temperaturas muy inferiores a las que requieren los m\u00e9todos t\u00e9rmicos. El GaN no tolera bien las altas temperaturas, por lo que esto es m\u00e1s importante de lo que parece.<\/p>\n\n\n\n
Para el tratamiento con plasma de \u00f3xido de galio, el plasma de arg\u00f3n de baja potencia introduce vacantes controladas de ox\u00edgeno en la superficie de Ga\u2082O\u2083. Estas vacantes mejoran la conducci\u00f3n de electrones y aportan... resistencia de contacto<\/a> abajo.<\/p>\n\n\n\n El sistema de plasma al vac\u00edo VL-10-A de Keylink funciona a una frecuencia de radio de 13,56 MHz con un vac\u00edo de trabajo de entre 10 y 100 Pa, compatible con O\u2082, Ar, H\u2082, N\u2082, CF\u2084 y otros gases de proceso. La misma plataforma gestiona la preparaci\u00f3n de GaN y Ga\u2082O\u2083 sin necesidad de reconfigurar el hardware. Gama completa de sistemas de plasma de vac\u00edo<\/a> Cubre configuraciones adicionales para diferentes requisitos de producci\u00f3n.<\/p>\n\n\n\n